Produk utama Zhanxin Electronics

Zhanxin Electronics telah mengumpulkan pasukan teras proses dan reka bentuk peranti SiC yang berpengalaman, dan reka bentuk cip pemacu SiC MOSFET dari dalam dan luar negara Sejak penubuhannya, ia telah memulakan penyelidikan dan pembangunan produk SiC MOSFET 6-inci. Menjadi syarikat pertama di China yang menguasai proses SiC MOSFET dan SBD 6 inci, serta cip pemacu SiC MOSFET. Pada September 2020, SiC MOSFET 1200V 80mOhm yang pertama lulus pensijilan JEDEC Setakat ini, kami telah menerima lebih daripada KKpcs permintaan dan pesanan perolehan SiC MOSFET. Pada September 2021, Zhanxin Electronics secara rasminya mengumumkan pengeluaran besar-besaran modul kuasa separuh jambatan 1200V 25mΩ Full-SiC (IV1B) Berdasarkan produk SiC MOSFET sedia ada dan produk SiC SBD, ia menambah baik barisan produk SiC Zhanxin Electronics dan menyediakan aplikasi mudah dan fleksibel untuk bekalan kuasa fotovoltan industri semasa yang lain. Pada bulan Jun 2024, 1200V 13.5mΩ SiC MOSFET generasi ketiga Zhanxin Electronics telah dikeluarkan pada masa ini terdapat tiga produk: IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA dan IV3Q12013BD, yang kebanyakannya digunakan dalam sistem pemanduan elektrik kenderaan mereka.