המוצרים העיקריים של Zhanxin Electronics

Zhanxin Electronics הרכיבה צוות ליבה של תכנון תהליכי SiC ומכשירים מנוסים, ותכנון שבבי SiC MOSFET מבית ומחוצה לה מאז הקמתה, היא החלה במחקר ופיתוח מוצרים של SiC MOSFET בגודל 6 אינץ'. הפכה לחברה הראשונה בסין ששולטת בתהליכי SiC MOSFET ו-SBD בגודל 6 אינץ', כמו גם שבבי דרייבר של SiC MOSFET. בספטמבר 2020, ה- SiC MOSFET 1200V 80mOhm עבר את הסמכת JEDEC. נכון לעכשיו, קיבלנו יותר מ-KKpcs של דרישות והזמנות של SiC MOSFET. בספטמבר 2021, Zhanxin Electronics הכריזה רשמית על ייצור המוני של מודולי כוח 1200V 25mΩ Full-SiC (IV1B) על בסיס מוצרי SiC MOSFET ומוצרי SiC SBD, היא שיפרה עוד יותר את קו מוצרי ה-SiC של Zhanxin Electronics וסיפקה פתרון פשוט וגמיש עבור יישומי צריכת חשמל תעשייתיים אחרים של SiC. ביוני 2024, הדור השלישי של Zhanxin Electronics 1200V 13.5mΩ SiC MOSFET יש כיום שלושה מוצרים: IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA, ו-IV3Q12013BD.