Umi mba'e tenondegua Zhanxin Electronics mba'éva

Zhanxin Electronics ombyaty peteî equipo núcleo orekóva experiencia proceso ha diseño dispositivo SiC, ha diseño chip conductor SiC MOSFET tetãgui ha tetã ambuére Oñemopyenda guive, oñepyrü investigación producto ha desarrollo SiC MOSFET 6 pulgadas. Oiko peteĩha empresa China-pe odominasáva umi proceso SiC MOSFET ha SBD 6 pulgadas, avei umi chip conductor SiC MOSFET. Septiembre 2020-pe, peteĩha SiC MOSFET 1200V 80mOhm ohasa certificación JEDEC Ko'ágã peve, rohupyty hetave KKpcs SiC MOSFET contratación demanda ha pedido. Septiembre 2021-pe, Zhanxin Electronics oikuaauka oficialmente producción masiva 1200V 25mΩ sic (IV1B) módulo de potencia media puente rehegua. Junio ​​2024-pe, Zhanxin Electronics tercera generación 1200V 13.5mΩ SiC MOSFET osẽ ko'ágã mbohapy producto: IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA, ha IV3Q12013BD Ojeporu principalmente sistemas de conducción eléctrica mba'yrumýime.