Wolfspeed base generation proces

I april 2022 åbnede Wolfspeeds 200 mm SiC-enhedsfabrik i Mohawk Valley, New York, USA, som bruger avanceret teknologi, officielt, hvilket i høj grad vil bidrage til at fremme transformationen af ​​mange industrier fra SiC-baserede produkter til SiC-baserede halvledere. Mohawk Valley Device Factory er begyndt at masseforsende SiC MOSFET'er til kinesiske slutkunder med det første parti af produktmodel C3M0040120K. I september 2022 annoncerede Wolfspeed, at det ville bygge en ny SiC-materialefabrik (John Palmour Silicon Carbide Manufacturing Center) i Chatham County, North Carolina, USA, ved at bruge avanceret teknologi. Fabrikken vil hovedsageligt fremstille 200 mm SiC-wafere, som vil blive brugt til at forsyne Wolfspeeds Mohawk Valley-enhedsfabrik. Første fase af byggeriet af anlægget forventes afsluttet i 2024, og virksomheden vil også udvide yderligere kapacitet baseret på efterspørgsel. Denne investeringsplan vil øge Wolfspeeds eksisterende SiC-materialeproduktionskapacitet med mere end 10 gange, hvilket fremskynder adoptionen af ​​SiC-halvledere på en række slutmarkeder. I februar 2023 annoncerede Wolfspeed planer om at bygge en højautomatiseret, banebrydende 200 mm SiC-fabrik i Saarland, Tyskland. Dette vil være Wolfspeeds første fabrik i Europa, der understøtter den voksende efterspørgsel efter en bred vifte af applikationer, herunder bilindustrien, industri og energi. Wolfspeeds 200 mm SiC-enhedsfabrik i Mohawk Valley, New York, vil blive en vigtig del af Wolfspeeds kapacitetsudvidelsesplan til $6,5 milliarder, sammen med dets SiC-materialefabrik i North Carolina og den planlagte 200 mm SiC-fabrik i Saarland, Tyskland.