Wolfspeed base generasjonsprosess

I april 2022 åpnet Wolfspeeds 200 mm SiC-enhetsfabrikk i Mohawk Valley, New York, USA, som bruker ledende teknologi, offisielt, noe som i stor grad vil bidra til å fremme transformasjonen av mange industrier fra SiC-baserte produkter til SiC-baserte halvledere. Mohawk Valley Device Factory har begynt å masseforsende SiC MOSFET-er til kinesiske sluttkunder, med den første batchen av produktmodellen C3M0040120K. I september 2022 kunngjorde Wolfspeed at de ville bygge et nytt SiC-materialeproduksjonsanlegg (John Palmour Silicon Carbide Manufacturing Center) i Chatham County, North Carolina, USA, ved å bruke ledende teknologi. Anlegget vil hovedsakelig produsere 200 mm SiC-skiver, som skal brukes til å forsyne Wolfspeeds enhetsfabrikk i Mohawk Valley. Første byggetrinn av anlegget forventes ferdigstilt i 2024, og selskapet vil også utvide ytterligere kapasitet basert på etterspørsel. Denne investeringsplanen vil øke Wolfspeeds eksisterende SiC-materialeproduksjonskapasitet med mer enn 10 ganger, og akselerere innføringen av SiC-halvledere i en rekke sluttmarkeder. I februar 2023 kunngjorde Wolfspeed planer om å bygge et svært automatisert, banebrytende 200 mm SiC-produksjonsanlegg i Saarland, Tyskland. Dette vil være Wolfspeeds første fabrikk i Europa som støtter økende etterspørsel etter et bredt spekter av bruksområder, inkludert bilindustri, industri og energi. Wolfspeeds 200 mm SiC-enhetsfabrikk i Mohawk Valley, New York, vil bli en viktig del av Wolfspeeds kapasitetsutvidelsesplan på 6,5 milliarder dollar, sammen med SiC-materialfabrikken i North Carolina og det planlagte 200 mm SiC-produksjonsanlegget i Saarland, Tyskland.