Proces generowania bazy Wolfspeed

W kwietniu 2022 r. oficjalnie otwarto zakład produkcyjny Wolfspeed w Mohawk Valley w stanie Nowy Jork (USA), w którym wykorzystuje się najnowocześniejszą technologię i który produkuje 200-milimetrowe urządzenia SiC. To rozwiązanie w znacznym stopniu przyczyni się do przyspieszenia transformacji wielu gałęzi przemysłu z produktów na bazie Si na półprzewodniki na bazie SiC. Mohawk Valley Device Factory rozpoczęła masową wysyłkę tranzystorów MOSFET SiC do chińskich klientów końcowych. Model pierwszej partii produktu to C3M0040120K. We wrześniu 2022 r. firma Wolfspeed ogłosiła, że ​​wybuduje nowy zakład produkcji materiałów SiC (John Palmour Silicon Carbide Manufacturing Center) w hrabstwie Chatham w Karolinie Północnej w USA, wykorzystując w tym celu najnowocześniejszą technologię. Zakład będzie zajmował się głównie produkcją płytek SiC o średnicy 200 mm, które będą wykorzystywane do zaopatrywania fabryki urządzeń Wolfspeed w Mohawk Valley. Zakończenie pierwszej fazy budowy zakładu planowane jest na 2024 rok. Firma będzie również zwiększać moce produkcyjne w miarę popytu. Ten plan inwestycyjny zwiększy obecne zdolności produkcyjne firmy Wolfspeed w zakresie materiałów SiC ponad 10-krotnie, co przyspieszy wdrażanie półprzewodników SiC na wielu rynkach docelowych. W lutym 2023 r. firma Wolfspeed ogłosiła plany budowy wysoce zautomatyzowanego, najnowocześniejszego zakładu produkcyjnego SiC o średnicy 200 mm w Saarze w Niemczech. Będzie to pierwsza fabryka Wolfspeed w Europie, która ma sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu na szeroką gamę zastosowań, m.in. w motoryzacji, przemyśle i energetyce. Zakład produkcyjny firmy Wolfspeed produkujący urządzenia SiC o średnicy 200 mm w Mohawk Valley w stanie Nowy Jork stanie się ważną częścią wartego 6,5 miliarda dolarów planu rozbudowy zdolności produkcyjnych firmy Wolfspeed, obok zakładu produkującego materiały SiC w Karolinie Północnej i planowanego zakładu produkcyjnego SiC o średnicy 200 mm w Saarze w Niemczech.