Wolfspeed alapgenerálási folyamat

2022 áprilisában hivatalosan is megnyílt a Wolfspeed 200 mm-es SiC eszközöket gyártó üzeme a New York állambeli Mohawk Valleyben, amely élvonalbeli technológiát használ, ami nagyban segíti majd számos iparág átalakulását Si-alapú termékekről SiC alapú félvezetőkre. A Mohawk Valley Device Factory megkezdte a SiC MOSFET-ek tömeges szállítását a kínai végfelhasználók számára, a C3M0040120K termékmodell első tételével. 2022 szeptemberében a Wolfspeed bejelentette, hogy új SiC anyaggyártó üzemet épít (a John Palmour Szilícium-karbid Gyártó Központot) az Egyesült Államok észak-karolinai Chatham megyében, élvonalbeli technológiával. Az üzem főként 200 mm-es SiC lapkákat gyárt majd, amelyeket a Wolfspeed Mohawk Valley készülékgyárának ellátására használnak majd. Az üzem építésének első üteme várhatóan 2024-ben fejeződik be, és a társaság az igények alapján további kapacitást is bővít. Ez a beruházási terv több mint 10-szeresére növeli a Wolfspeed meglévő SiC-anyag-előállító kapacitását, felgyorsítva a SiC-félvezetők elterjedését számos végpiacon. 2023 februárjában a Wolfspeed bejelentette, hogy egy magasan automatizált, élvonalbeli 200 mm-es SiC gyártó üzemet épít a németországi Saar-vidéken. Ez lesz a Wolfspeed első gyára Európában, amely az alkalmazások széles skálája iránti növekvő keresletet támogatja, beleértve az autóipari, ipari és energiaipari alkalmazásokat. A Wolfspeed New York állambeli Mohawk Valleyben található 200 mm-es szilícium-karbid-gyára a Wolfspeed 6,5 milliárd dolláros kapacitásbővítési tervének fontos részévé válik, az észak-karolinai SiC-anyaggyárral és a németországi Saar-vidéken tervezett 200 mm-es SiC-gyártó üzemmel együtt.