Proses pembuatan basis Wolfspeed

2023-06-15 00:00
 110
Pada bulan April 2022, pabrik manufaktur perangkat SiC 200mm Wolfspeed di Mohawk Valley, New York, AS, yang menggunakan teknologi terdepan, resmi dibuka, yang akan sangat membantu mendorong transformasi banyak industri dari produk berbasis Si ke semikonduktor berbasis SiC. Pabrik Perangkat Mohawk Valley telah memulai pengiriman massal MOSFET SiC ke pelanggan akhir China, dengan model produk gelombang pertama C3M0040120K. Pada bulan September 2022, Wolfspeed mengumumkan akan membangun pabrik manufaktur material SiC baru (John Palmour Silicon Carbide Manufacturing Center) di Chatham County, North Carolina, AS, menggunakan teknologi terdepan. Pabrik ini terutama akan memproduksi wafer SiC 200 mm, yang akan digunakan untuk memasok pabrik perangkat Wolfspeed di Mohawk Valley. Tahap pertama pembangunan pabrik diharapkan selesai pada tahun 2024, dan perusahaan juga akan memperluas kapasitas tambahan berdasarkan permintaan. Rencana investasi ini akan meningkatkan kapasitas produksi material SiC milik Wolfspeed lebih dari 10 kali lipat, mempercepat adopsi semikonduktor SiC di berbagai pasar akhir. Pada bulan Februari 2023, Wolfspeed mengumumkan rencana untuk membangun pabrik manufaktur SiC 200mm yang sangat otomatis dan canggih di Saarland, Jerman. Ini akan menjadi pabrik pertama Wolfspeed di Eropa yang mendukung meningkatnya permintaan untuk berbagai aplikasi termasuk otomotif, industri, dan energi. Pabrik perangkat SiC 200 mm milik Wolfspeed di Mohawk Valley, New York, akan menjadi bagian penting dari rencana perluasan kapasitas Wolfspeed senilai $6,5 miliar, bersama dengan pabrik material SiC di North Carolina dan pabrik manufaktur SiC 200 mm yang direncanakan di Saarland, Jerman.