উলফস্পিড বেস জেনারেশন প্রক্রিয়া

২০২২ সালের এপ্রিল মাসে, মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রের নিউ ইয়র্কের মোহক ভ্যালিতে উলফস্পিডের ২০০ মিমি SiC ডিভাইস উৎপাদন কারখানা, যা উন্নত প্রযুক্তি ব্যবহার করে, আনুষ্ঠানিকভাবে উদ্বোধন করা হয়, যা Si-ভিত্তিক পণ্য থেকে SiC-ভিত্তিক সেমিকন্ডাক্টরে অনেক শিল্পের রূপান্তরকে উন্নীত করতে ব্যাপকভাবে সহায়তা করবে। মোহক ভ্যালি ডিভাইস ফ্যাক্টরি চীনা গ্রাহকদের কাছে SiC MOSFET-এর গণ-পরিবহন শুরু করেছে, যার প্রথম ব্যাচের পণ্য মডেল C3M0040120K। ২০২২ সালের সেপ্টেম্বরে, উলফস্পিড ঘোষণা করে যে তারা মার্কিন যুক্তরাষ্ট্রের উত্তর ক্যারোলিনার চ্যাথাম কাউন্টিতে একটি নতুন SiC উপাদান উৎপাদন কেন্দ্র (জন পামোর সিলিকন কার্বাইড উৎপাদন কেন্দ্র) তৈরি করবে, যেখানে তারা উন্নত প্রযুক্তি ব্যবহার করবে। এই প্ল্যান্টটি মূলত ২০০ মিমি SiC ওয়েফার তৈরি করবে, যা উলফস্পিডের মোহক ভ্যালি ডিভাইস কারখানায় সরবরাহের জন্য ব্যবহৃত হবে। প্ল্যান্টটির নির্মাণের প্রথম পর্যায় ২০২৪ সালে সম্পন্ন হবে বলে আশা করা হচ্ছে এবং চাহিদার ভিত্তিতে কোম্পানিটি অতিরিক্ত ক্ষমতাও সম্প্রসারণ করবে। এই বিনিয়োগ পরিকল্পনা উলফস্পিডের বিদ্যমান SiC উপাদান উৎপাদন ক্ষমতা ১০ গুণেরও বেশি বৃদ্ধি করবে, যা বিভিন্ন প্রান্তিক বাজারে SiC সেমিকন্ডাক্টর গ্রহণকে ত্বরান্বিত করবে। ২০২৩ সালের ফেব্রুয়ারিতে, উলফস্পিড জার্মানির সারল্যান্ডে একটি অত্যন্ত স্বয়ংক্রিয়, অত্যাধুনিক ২০০ মিমি SiC উৎপাদন কারখানা নির্মাণের পরিকল্পনা ঘোষণা করে। এটি হবে ইউরোপে উলফস্পিডের প্রথম কারখানা যা মোটরগাড়ি, শিল্প এবং শক্তি সহ বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনের ক্রমবর্ধমান চাহিদাকে সমর্থন করবে। নিউ ইয়র্কের মোহক ভ্যালিতে অবস্থিত উলফস্পিডের ২০০ মিমি সিআইসি ডিভাইস প্ল্যান্ট, উত্তর ক্যারোলিনায় অবস্থিত উলফস্পিডের ৬.৫ বিলিয়ন ডলারের ক্ষমতা সম্প্রসারণ পরিকল্পনার একটি গুরুত্বপূর্ণ অংশ হয়ে উঠবে, পাশাপাশি উত্তর ক্যারোলিনায় অবস্থিত উলফস্পিডের সিআইসি উপকরণ প্ল্যান্ট এবং জার্মানির সারল্যান্ডে পরিকল্পিত ২০০ মিমি সিআইসি উৎপাদন প্ল্যান্টও থাকবে।