Reine Halbleiterproduktleistung

Die 1200-V-SiC-MOSFET-Plattformtechnologie ist ausgereift, und Produkte verschiedener Spezifikationen wurden in Massenproduktion hergestellt und haben die AEC-Q101-Zertifizierung für Automobilqualität und die 960-V-H3TRB-Zuverlässigkeitsprüfung bestanden. Das Unternehmen hat die ersten im Inland in Massenproduktion hergestellten Produkte der 15-V-Antriebs-SiC-MOSFET-Serie auf den Markt gebracht, und alle Leistungsindikatoren haben die ähnlicher internationaler Produkte erreicht oder übertroffen. Das Unternehmen hat fast eine Million SiC-MOSFET-Chips ausgeliefert und bedient viele führende Kunden in der Photovoltaik- und Energiespeicherbranche. Das Unternehmen hat den 1200-V-14-mΩ-SiC-MOSFET mit dem niedrigsten Einschaltwiderstand in China auf den Markt gebracht, der von Tier-1-Herstellern verifiziert wurde und dessen Leistung mit der von gängigen internationalen Hauptantriebschips vergleichbar ist. Er wird derzeit von vielen Automobilunternehmen verifiziert. Im März 2022 wurde bekannt gegeben, dass sich Qingchun Semiconductor im Ningbo Qianwan New Area niederlässt und seinen Hauptsitz und sein Forschungs- und Entwicklungszentrum in dem neuen Gebiet errichtet. Berichten zufolge erstreckt sich der Hauptsitz von Qingchun Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd. über eine Fläche von 4.600 Quadratmetern und verfügt über vier große Versuchsplattformen: Im ersten Stock befindet sich eine Plattform für Geräteleistungstests, Wafertests und eine Alterungsplattform, im dritten Stock eine Zuverlässigkeits- und Anwendungsplattform und im vierten Stock eine Plattform für Gerätetests und Alterung. Die geplante Gesamtfläche des Labors beträgt über 2.500 Quadratmeter und ist mit weltweit führenden Geräten zur Prüfung von Leistungsgeräteparametern und Zuverlässigkeit ausgestattet. Die Gesamtinvestition in die Plattform beträgt fast 100 Millionen Yuan und sie kann das Testen und Prüfen von fast 10 Millionen Siliziumkarbidgeräten pro Monat unterstützen.