Эксплуатационные характеристики чистого полупроводникового продукта

Технология платформы 1200 В SiC MOSFET является зрелой, и продукты с различными спецификациями производятся серийно и прошли сертификацию автомобильного класса AEC-Q101 и проверку надежности 960V-H3TRB. Компания выпустила первую отечественную серию 15-вольтовых приводных SiC MOSFET-продуктов, и все показатели производительности достигли или превысили показатели аналогичной международной продукции. Компания отгрузила почти миллион чипов SiC MOSFET и обслуживает многих ведущих клиентов в фотоэлектрической и энергоаккумулирующей отраслях. Компания выпустила 1200 В 14 мОм SiC MOSFET с самым низким сопротивлением в открытом состоянии в Китае, что было проверено производителями Tier 1, и его производительность сопоставима с производительностью основных международных приводных чипов. В настоящее время он проверяется многими автомобильными компаниями. В марте 2022 года компания Qingchun Semiconductor была объявлена ​​обосновавшейся в новом районе Нинбо Цяньвань и построила там свою штаб-квартиру и научно-исследовательский центр. Сообщается, что штаб-квартира Qingchun Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd. занимает площадь 4600 квадратных метров и располагает четырьмя основными экспериментальными платформами: первый этаж предназначен для платформы тестирования производительности устройств, платформы тестирования пластин и старения; третий этаж — для платформы надежности и применения; а четвертый этаж — для платформы тестирования устройств и старения. Общая запланированная площадь лаборатории составляет более 2500 квадратных метров и оснащена ведущим в мире оборудованием для тестирования параметров и надежности силовых устройств. Общий объем инвестиций в платформу составляет около 100 миллионов юаней, и она способна поддерживать тестирование и скрининг почти 10 миллионов устройств из карбида кремния в месяц.