Zmogljivost čistega polprevodniškega izdelka

Tehnologija 1200V SiC MOSFET je zrela in izdelki različnih specifikacij so bili serijsko proizvedeni in so opravili certifikacijo za avtomobilsko industrijo in 960V-H3TRB MOSFET čipe in služi številnim vodilnim strankam v fotonapetostni industriji in industriji shranjevanja energije. Podjetje je dalo na trg 1200 V 14 mΩ MOSFET z najnižjo upornostjo na Kitajskem, ki so ga preverili proizvajalci Tier 1 in je njegovo delovanje primerljivo z glavnimi mednarodnimi čipi za pogone. Trenutno ga preverjajo številna avtomobilska podjetja. Marca 2022 se je podjetje Qingchun Semiconductor naselilo v novem območju Ningbo Qianwan ter na novem območju zgradilo svoj sedež in center za raziskave in razvoj. Poročajo, da sedež Qingchun Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd. pokriva površino 4600 kvadratnih metrov in ima štiri glavne eksperimentalne platforme: prvo nadstropje je za platformo za testiranje delovanja naprav, platformo za testiranje rezin in platformo za staranje; četrto nadstropje je za platformo za testiranje in staranje naprav. Celotna načrtovana površina laboratorija je več kot 2.500 kvadratnih metrov in je opremljena z vodilno svetovno opremo za testiranje parametrov napajalne naprave in opremo za zanesljivost. Celotna naložba v platformo je skoraj 100 milijonov juanov in lahko podpira testiranje in pregledovanje skoraj 10 milijonov naprav iz silicijevega karbida na mesec.