သန့်စင်သော semiconductor ထုတ်ကုန်စွမ်းဆောင်ရည်

1200V SiC MOSFET ပလပ်ဖောင်းနည်းပညာသည် ရင့်ကျက်ပြီး အမျိုးမျိုးသော သတ်မှတ်ချက်များ၏ ထုတ်ကုန်များကို အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်ထားပြီး AEC-Q101 မော်တော်ကားအဆင့် အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်နှင့် 960V-H3TRB ယုံကြည်စိတ်ချရမှု အတည်ပြုခြင်း ကုမ္ပဏီသည် ပြည်တွင်း၌ ပထမဆုံးသော အမြောက်အမြားထုတ်လုပ်ထားသော 15V drive SiC MOSFET နှင့် နိုင်ငံတကာ ထုတ်ကုန်အားလုံးနီးပါးကို ကျော်လွန်သွားပါသည်။ SiC MOSFET ချစ်ပ်များနှင့် photovoltaic နှင့် စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုလုပ်ငန်းများတွင် ထိပ်တန်းဖောက်သည်များစွာကို ဝန်ဆောင်မှုပေးလျက်ရှိပါသည်။ ကုမ္ပဏီသည် 1200V 14mΩ SiC MOSFET ကို တရုတ်နိုင်ငံတွင် အနိမ့်ဆုံး on-resistance ဖြင့် စတင်ထုတ်လုပ်လိုက်ပြီဖြစ်ပြီး Tier 1 ထုတ်လုပ်သူမှ အတည်ပြုထားပြီး ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်သည် ပင်မနိုင်ငံတကာ ပင်မဒရိုက်များကို မော်တော်ကားကုမ္ပဏီများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ထားသည်။ 2022 ခုနှစ် မတ်လတွင်၊ Qingchun Semiconductor ကို Ningbo Qianwan New Area တွင် အခြေချရန် မိတ်ဆက်ခဲ့ပြီး ဧရိယာသစ်တွင် ၎င်း၏ဌာနချုပ်နှင့် R&D စင်တာကို တည်ဆောက်ခဲ့သည်။ Qingchun Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd. ၏ ရုံးချုပ်တွင် ဧရိယာ 4,600 စတုရန်းမီတာ ကျယ်ဝန်းပြီး အဓိက စမ်းသပ်သည့် ပလပ်ဖောင်း လေးခုပါရှိသည်- ပထမထပ်သည် စက်ပစ္စည်း စွမ်းဆောင်ရည် စမ်းသပ်ခြင်း ပလပ်ဖောင်း၊ wafer စမ်းသပ်ခြင်း နှင့် သက်တမ်းရင့် ပလပ်ဖောင်းအတွက် ဖြစ်ပြီး တတိယထပ်သည် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု နှင့် အပလီကေးရှင်း ပလပ်ဖောင်းအတွက် ဖြစ်သည်။ ဓာတ်ခွဲခန်း၏ စုစုပေါင်း ဧရိယာသည် စတုရန်းမီတာ ၂၅၀၀ ကျော်ရှိပြီး ကမ္ဘာ့ထိပ်တန်း ပါဝါကိရိယာ ပါရာမီတာ စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုဆိုင်ရာ စက်ကိရိယာများ တပ်ဆင်ထားပြီး ပလက်ဖောင်းတွင် စုစုပေါင်း ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုမှာ ယွမ် သန်း ၁၀၀ နီးပါးဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် တစ်လလျှင် ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ် ကိရိယာ ၁၀ သန်းနီးပါး စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် စစ်ဆေးခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည်။