Hiệu suất sản phẩm bán dẫn tinh khiết

Công nghệ nền tảng MOSFET SiC 1200V đã trưởng thành và các sản phẩm có nhiều thông số kỹ thuật khác nhau đã được sản xuất hàng loạt và đã vượt qua chứng nhận cấp ô tô AEC-Q101 và xác minh độ tin cậy 960V-H3TRB. Công ty đã tung ra các sản phẩm dòng MOSFET SiC ổ đĩa 15V đầu tiên được sản xuất hàng loạt trong nước và tất cả các chỉ số hiệu suất đều đạt hoặc vượt quá các sản phẩm quốc tế tương tự. Công ty đã xuất xưởng gần một triệu chip MOSFET SiC và phục vụ nhiều khách hàng hàng đầu trong ngành quang điện và lưu trữ năng lượng. Công ty đã tung ra MOSFET SiC 1200V 14mΩ có điện trở khi bật thấp nhất tại Trung Quốc, đã được các nhà sản xuất Tier 1 xác minh và hiệu suất của nó tương đương với chip ổ đĩa chính quốc tế chính thống. Hiện tại, nó đang được nhiều công ty ô tô xác minh. Vào tháng 3 năm 2022, Qingchun Semiconductor được giới thiệu sẽ định cư tại Khu đô thị mới Thiên Loan Ninh Ba và xây dựng trụ sở chính cùng trung tâm R&D tại khu đô thị mới này. Được biết, trụ sở chính của Công ty TNHH Bán dẫn Thanh Xuân (Ninh Ba) có diện tích 4.600 mét vuông và có bốn nền tảng thử nghiệm chính: tầng một dành cho nền tảng thử nghiệm hiệu suất thiết bị, nền tảng thử nghiệm wafer và lão hóa; tầng ba dành cho nền tảng độ tin cậy và ứng dụng; tầng bốn dành cho nền tảng thử nghiệm thiết bị và lão hóa. Tổng diện tích phòng thí nghiệm theo kế hoạch là hơn 2.500 mét vuông và được trang bị thiết bị kiểm tra thông số và độ tin cậy của thiết bị điện hàng đầu thế giới. Tổng vốn đầu tư vào nền tảng này là gần 100 triệu nhân dân tệ và có khả năng hỗ trợ kiểm tra và sàng lọc gần 10 triệu thiết bị silicon carbide mỗi tháng.