বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহী পণ্যের কর্মক্ষমতা

১২০০V SiC MOSFET প্ল্যাটফর্ম প্রযুক্তি পরিপক্ক, এবং বিভিন্ন স্পেসিফিকেশনের পণ্যগুলি ব্যাপকভাবে উৎপাদিত হয়েছে এবং AEC-Q101 অটোমোটিভ-গ্রেড সার্টিফিকেশন এবং 960V-H3TRB নির্ভরযোগ্যতা যাচাইকরণে উত্তীর্ণ হয়েছে। কোম্পানিটি প্রথম দেশীয়ভাবে ব্যাপকভাবে উৎপাদিত ১৫V ড্রাইভ SiC MOSFET সিরিজের পণ্য চালু করেছে এবং সমস্ত কর্মক্ষমতা সূচক একই ধরণের আন্তর্জাতিক পণ্যের সমান বা অতিক্রম করেছে। কোম্পানিটি প্রায় দশ লক্ষ SiC MOSFET চিপ সরবরাহ করেছে এবং ফটোভোলটাইক এবং শক্তি সঞ্চয় শিল্পে অনেক নেতৃস্থানীয় গ্রাহকদের সেবা প্রদান করে। কোম্পানিটি চীনে সর্বনিম্ন অন-রেজিস্ট্যান্স সহ ১২০০V ১৪mΩ SiC MOSFET চালু করেছে, যা টিয়ার ১ নির্মাতারা দ্বারা যাচাই করা হয়েছে এবং এর কর্মক্ষমতা মূলধারার আন্তর্জাতিক প্রধান ড্রাইভ চিপের সাথে তুলনীয়। বর্তমানে এটি অনেক অটোমোবাইল কোম্পানি দ্বারা যাচাই করা হচ্ছে। ২০২২ সালের মার্চ মাসে, কিংচুন সেমিকন্ডাক্টরকে নিংবো কিয়ানওয়ান নতুন এলাকায় বসতি স্থাপনের জন্য প্রবর্তন করা হয়েছিল এবং নতুন এলাকায় এর সদর দপ্তর এবং গবেষণা ও উন্নয়ন কেন্দ্র তৈরি করা হয়েছিল। জানা গেছে যে কিংচুন সেমিকন্ডাক্টর (নিংবো) কোং লিমিটেডের সদর দপ্তর ৪,৬০০ বর্গমিটার এলাকা জুড়ে অবস্থিত এবং এর চারটি প্রধান পরীক্ষামূলক প্ল্যাটফর্ম রয়েছে: প্রথম তলাটি ডিভাইস পারফরম্যান্স টেস্টিং প্ল্যাটফর্ম, ওয়েফার টেস্টিং এবং এজিং প্ল্যাটফর্মের জন্য; তৃতীয় তলাটি নির্ভরযোগ্যতা এবং অ্যাপ্লিকেশন প্ল্যাটফর্মের জন্য; এবং চতুর্থ তলাটি ডিভাইস টেস্টিং এবং এজিং প্ল্যাটফর্মের জন্য। ল্যাবরেটরির মোট পরিকল্পিত এলাকা ২,৫০০ বর্গমিটারেরও বেশি এবং এটি বিশ্বের শীর্ষস্থানীয় পাওয়ার ডিভাইস প্যারামিটার পরীক্ষার এবং নির্ভরযোগ্যতা সরঞ্জাম দিয়ে সজ্জিত। প্ল্যাটফর্মটিতে মোট বিনিয়োগ প্রায় ১০০ মিলিয়ন ইউয়ান, এবং এটি প্রতি মাসে প্রায় ১ কোটি সিলিকন কার্বাইড ডিভাইসের পরীক্ষা এবং স্ক্রিনিং সমর্থন করার ক্ষমতা রাখে।