أداء منتجات أشباه الموصلات النقية

لقد أصبحت تقنية منصة MOSFET SiC 1200V ناضجة، وتم إنتاج منتجات بمواصفات مختلفة بكميات كبيرة واجتازت شهادة AEC-Q101 للسيارات والتحقق من موثوقية 960V-H3TRB. أطلقت الشركة أول منتجات سلسلة MOSFET SiC بمحرك 15 فولت يتم إنتاجها بكميات كبيرة محليًا، وقد وصلت جميع مؤشرات الأداء إلى أو تجاوزت تلك الخاصة بالمنتجات الدولية المماثلة. لقد شحنت الشركة ما يقرب من مليون شريحة MOSFET SiC وتخدم العديد من العملاء الرائدين في صناعات الطاقة الكهروضوئية وتخزين الطاقة. أطلقت الشركة MOSFET SiC 1200V 14mΩ بأقل مقاومة تشغيل في الصين، والتي تم التحقق منها من قبل الشركات المصنعة من الدرجة الأولى وأدائها يضاهي أداء شرائح المحرك الرئيسية الدولية السائدة. يتم التحقق منها حاليًا من قبل العديد من شركات السيارات. في مارس 2022، تم تقديم شركة Qingchun Semiconductor للاستقرار في منطقة Ningbo Qianwan الجديدة، وبنت مقرها الرئيسي ومركز البحث والتطوير في المنطقة الجديدة. يُذكر أن المقر الرئيسي لشركة Qingchun Semiconductor (Ningbo) Co.، Ltd. يغطي مساحة 4600 متر مربع ويضم أربع منصات تجريبية رئيسية: الطابق الأول هو لمنصة اختبار أداء الأجهزة ومنصة اختبار الرقاقة والشيخوخة؛ والطابق الثالث هو لمنصة الموثوقية والتطبيق؛ والطابق الرابع هو لمنصة اختبار الأجهزة والشيخوخة. تبلغ المساحة الإجمالية المخططة للمختبر أكثر من 2500 متر مربع ومجهز بمعدات اختبار معلمات أجهزة الطاقة وموثوقيتها الرائدة عالميًا. يبلغ إجمالي الاستثمار في المنصة ما يقرب من 100 مليون يوان، ولديها القدرة على دعم اختبار وفحص ما يقرب من 10 ملايين جهاز كربيد السيليكون شهريًا.