Hunan Sanan Semiconductor-მა გამართა M6B აღჭურვილობის გახსნის ცერემონია თავის მეორე ჩიპების ქარხანაში

Hunan Sanan SiC პროექტის მთლიანი ინვესტიცია შეადგენს 16 მილიარდ იუანს და მიზანია შექმნას 6 დიუმიანი/8 დიუმიანი ვერტიკალურად ინტეგრირებული მასობრივი წარმოების პლატფორმა, რომელიც თავსებადია SiC ინდუსტრიის მთელ ჯაჭვთან. მას შემდეგ რაც პროექტი სრულ წარმოებას მიაღწევს, მას ექნება საწარმოო სიმძლავრე, რომ აწარმოოს 360,000 6 დიუმიანი SiC ვაფლი და 480,000 8 დიუმიანი SiC ვაფლი ყოველწლიურად. როგორც Hunan Sanan-ის SiC ინდუსტრიის განლაგების მნიშვნელოვანი ნაწილი, M6B-ის წარმოებამ დიდი ყურადღება მიიპყრო. მოსალოდნელია, რომ მიმდინარე წლის დეკემბერში M6B გამოვა წარმოებაში, 8 დიუმიანი SiC ჩიპი ოფიციალურად გამოვა, ხოლო Hunan Sanan Semiconductor ოფიციალურად გარდაიქმნება 8 დიუმიანი SiC ვერტიკალურად ინტეგრირებულ მწარმოებლად.