Hongkong, China, begrüßt sein erstes Halbleiter-Waferfabrikprojekt mit Siliziumkarbid-Technologie

Im Januar dieses Jahres wurde in Hongkong, China, das Projekt für die Herstellung einer ersten Halbleiterwaferfabrik eröffnet. J-Cube Semiconductor (Hong Kong) Co., Ltd. unterzeichnete eine Kooperationsvereinbarung mit der Federation of Hong Kong Industries und plant, mithilfe der Siliziumkarbid-Halbleitertechnologie der dritten Generation eine 8-Zoll-Waferfabrik in Hongkong zu bauen. Das Gesamtinvestitionsvolumen für das Projekt wird auf 6,9 Milliarden HK-Dollar geschätzt. Nach Erreichen der vollen Produktionskapazität werden jährlich 240.000 Wafer produziert, die den Produktionsbedarf von 1,5 Millionen Elektrofahrzeugen decken können.