Hong Kong, China begréisst säin éischten Hallefleitwafer Fab-Projet mat Siliziumkarbidtechnologie

Am Januar dëst Joer huet Hong Kong, China säin éischten Hallefleitwaferfabrécksprojet begréisst J-Cube Semiconductor (Hong Kong) Co., Ltd., ënnerschriwwen e Memorandum vun Zesummenaarbecht mat der Federatioun vun Hong Kong Industrien, plangt d'drëtt Generatioun Halbleiter Siliziumkarbidtechnologie fir eng 8 Zoll Waferfabréck zu Hong Kong ze bauen. D'Gesamtinvestitioun vum Projet gëtt erwaart fir HK $ 6.9 Milliarde z'erreechen No der Erreeche vun der voller Produktiounskapazitéit wäert et jäerlech 240.000 Wafere produzéieren, déi fäeg sinn d'Produktiounsbedürfnisser vun 1.5 Milliounen nei Energieautoen z'erreechen.