Гонконг, Китай приветствует свой первый проект по производству полупроводниковых пластин с использованием технологии карбида кремния

В январе этого года Гонконг, Китай, приветствовал свой первый проект завода по производству полупроводниковых пластин. J-Cube Semiconductor (Hong Kong) Co., Ltd. подписала меморандум о сотрудничестве с Федерацией промышленности Гонконга, планируя использовать технологию полупроводникового карбида кремния третьего поколения для строительства завода по производству 8-дюймовых пластин в Гонконге. Ожидается, что общий объем инвестиций в проект составит 6,9 млрд гонконгских долларов. После выхода на полную производственную мощность он будет выпускать 240 000 пластин в год, что позволит удовлетворить производственные потребности 1,5 млн новых энергетических транспортных средств.