ჰონგ კონგი, ჩინეთი მიესალმება თავის პირველ ნახევარგამტარული ვაფლის ფაბ პროექტს სილიციუმის კარბიდის ტექნოლოგიის გამოყენებით

ამ წლის იანვარში, ჰონგ-კონგი, ჩინეთი მიესალმა თავის პირველ ნახევარგამტარული ვაფლის ქარხნის პროექტს J-Cube Semiconductor (Hong Kong) Co., Ltd.-მ ხელი მოაწერა თანამშრომლობის მემორანდუმს ჰონგ კონგის მრეწველობის ფედერაციასთან, რომელიც გეგმავს მესამე თაობის ნახევარგამტარული სილიკონის კარბიდის ტექნოლოგიის გამოყენებას ჰონგ-კონგში ქარხნის ასაშენებლად. პროექტის მთლიანი ინვესტიცია იქნება 6,9 მილიარდი აშშ დოლარი, სრული საწარმოო სიმძლავრის მიღწევის შემდეგ, იგი ყოველწლიურად აწარმოებს 240 000 ვაფლს, რომელიც შეძლებს დააკმაყოფილოს 1,5 მილიონი ახალი ენერგეტიკული მანქანის წარმოების საჭიროება.