Pagsusuri ng Gastos ng Mga Silicon Carbide Device

Sa istraktura ng gastos ng mga aparatong silicon carbide, ang substrate, epitaxy, at mga aparato ay nagkakahalaga ng 46%, 23%, at 20%, ayon sa pagkakabanggit. Ang substrate ay ang core ng pagbabawas ng gastos ng silikon carbide. Sa kasalukuyan, ang presyo ng isang 6-inch na silicon carbide substrate ay humigit-kumulang US$900 bawat piraso, ilang beses kaysa sa tradisyonal na silicon-based semiconductors. Sa hinaharap, ang mga substrate ng silicon carbide ay inaasahan na higit pang bawasan ang mga gastos sa produksyon at pagbutihin ang pagiging mapagkumpitensya sa merkado sa pamamagitan ng pagtaas ng paggamit ng materyal, pagbuo patungo sa mas malalaking sukat, pagpapabuti ng mga ani, at pagpapabuti ng mga proseso ng paglago ng kristal.