Apro Semicon completa una inversión de Serie A de 5 mil millones de KRW y lanza una financiación de Serie B de 50 mil millones de KRW

Apro Semicon anunció recientemente que ha desarrollado con éxito obleas epitaxiales de nitruro de galio (GaN-on-Si) basadas en silicio de 8 pulgadas y 1200 V y planea iniciar la producción en masa a fines de este año. El producto tiene un voltaje de ruptura de hasta 1600 V, lo que permite una conversión de energía eficiente, y la calidad y uniformidad del espesor de la oblea epitaxial ha alcanzado el 99%. Tras su exitosa inversión de Serie A de 5 mil millones de wones el año pasado, Apro Semicon está buscando actualmente 50 mil millones de wones en financiación de Serie B para acelerar la producción en masa de sus obleas epitaxiales de GaN. Parte del financiamiento se utilizará para introducir nuevos equipos MOCVD para seguir invirtiendo en su planta de producción en masa de obleas epitaxiales de GaN en Gumi.