Apro Semicon fäerdeg 5 Milliarde KRW Serie A Investitioun a lancéiert 50 Milliarde KRW Serie B Finanzéierung

Apro Semicon huet viru kuerzem ugekënnegt datt et erfollegräich 8-Zoll 1200V Silizium-baséiert Galliumnitrid (GaN-on-Si) epitaxial Wafere entwéckelt huet a plangt d'Massproduktioun bis Enn vun dësem Joer unzefänken. D'Produkt huet eng Decomptespannung vu bis zu 1600V, wat effizient Kraaftkonversioun erméiglecht, an d'Qualitéit an d'Dicke Uniformitéit vun der epitaxialer Wafer huet 99% erreecht. No senger erfollegräicher Serie A Investitioun vu 5 Milliarde gewonnen d'lescht Joer, sicht Apro Semicon de Moment 50 Milliarde gewonnen an der Serie B Finanzéierung fir d'Massproduktioun vu senge GaN epitaxialen Waferen ze beschleunegen. En Deel vun der Finanzéierung gëtt benotzt fir nei MOCVD Ausrüstung anzeféieren fir weider a seng GaN epitaxial Wafer Masseproduktiounsanlag zu Gumi ze investéieren.