Apro Semicon завершает инвестиции серии A на сумму 5 млрд вон и запускает финансирование серии B на сумму 50 млрд вон

Компания Apro Semicon недавно объявила об успешной разработке 8-дюймовых эпитаксиальных пластин нитрида галлия на основе кремния (GaN-on-Si) напряжением 1200 В и планирует начать их массовое производство к концу этого года. Изделие имеет пробивное напряжение до 1600 В, что обеспечивает эффективное преобразование энергии, а качество и однородность толщины эпитаксиальной пластины достигают 99%. После успешных инвестиций серии А в размере 5 млрд вон в прошлом году компания Apro Semicon в настоящее время ищет 50 млрд вон в рамках финансирования серии B для ускорения массового производства своих эпитаксиальных пластин GaN. Часть финансирования будет использована для внедрения нового оборудования MOCVD с целью дальнейшего инвестирования в завод по массовому производству эпитаксиальных пластин GaN в Гуми.