Apro Semicon kończy inwestycję serii A o wartości 5 miliardów KRW i uruchamia finansowanie serii B o wartości 50 miliardów KRW

Firma Apro Semicon ogłosiła niedawno, że udało jej się opracować 8-calowe, 1200-woltowe płytki epitaksjalne na bazie azotku galu (GaN-na-Si) na bazie krzemu i planuje rozpocząć masową produkcję pod koniec tego roku. Produkt charakteryzuje się napięciem przebicia do 1600 V, co pozwala na efektywną konwersję mocy, a jakość i jednorodność grubości płytki epitaksjalnej osiągnęła 99%. Po udanej inwestycji serii A w wysokości 5 miliardów wonów w ubiegłym roku, Apro Semicon stara się obecnie o 50 miliardów wonów w ramach finansowania serii B, aby przyspieszyć masową produkcję płytek epitaksjalnych GaN. Część finansowania zostanie wykorzystana do wprowadzenia nowego sprzętu MOCVD w celu dalszej inwestycji w zakład masowej produkcji płytek epitaksjalnych GaN w Gumi.