Apro Semicon hoàn thành khoản đầu tư Series A trị giá 5 tỷ KRW và triển khai khoản tài trợ Series B trị giá 50 tỷ KRW

Apro Semicon gần đây đã công bố rằng họ đã phát triển thành công tấm wafer epitaxial 8 inch 1200V dựa trên silicon (GaN-on-Si) và có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt vào cuối năm nay. Sản phẩm có điện áp đánh thủng lên tới 1600V, cho phép chuyển đổi năng lượng hiệu quả, chất lượng và độ đồng đều về độ dày của wafer epitaxial đạt tới 99%. Sau khoản đầu tư Series A thành công trị giá 5 tỷ won vào năm ngoái, Apro Semicon hiện đang tìm kiếm khoản tài trợ Series B trị giá 50 tỷ won để đẩy nhanh quá trình sản xuất hàng loạt tấm wafer epitaxial GaN. Một phần khoản tài trợ sẽ được sử dụng để giới thiệu thiết bị MOCVD mới nhằm đầu tư thêm vào nhà máy sản xuất hàng loạt tấm wafer epitaxial GaN tại Gumi.