Nakumpleto ng Apro Semicon ang 5 Bilyong KRW Series A na Puhunan at Naglulunsad ng 50 Bilyong KRW Series B na Pagpopondo

Inanunsyo kamakailan ng Apro Semicon na matagumpay itong nakabuo ng 8-inch 1200V silicon-based na gallium nitride (GaN-on-Si) epitaxial wafers at planong simulan ang mass production sa katapusan ng taong ito. Ang produkto ay may breakdown voltage na hanggang 1600V, na nagpapagana ng mahusay na conversion ng kuryente, at ang kalidad at kapal ng pagkakapareho ng epitaxial wafer ay umabot sa 99%. Kasunod ng matagumpay nitong pamumuhunan sa Series A na 5 bilyong won noong nakaraang taon, kasalukuyang naghahanap ng 50 bilyong won ang Apro Semicon sa Series B financing upang pabilisin ang mass production ng GaN epitaxial wafers nito. Bahagi ng financing ang gagamitin para ipakilala ang bagong MOCVD equipment para higit pang mamuhunan sa GaN epitaxial wafer mass production plant nito sa Gumi.