Qinghe Wafer нь 8 инчийн SiC холбох субстрат бэлтгэхэд хүрдэг

Хятадын Qinghe Wafer Co., Ltd компани 8 инчийн SiC холбогч субстратыг бэлтгэхэд амжилттай ахиц дэвшил гаргаснаа 4-р сард зарласан. Түүнчлэн Чинхэ Жингюань 990 сая юанийн хөрөнгө оруулалтаар тус улсын анхны нийлмэл SiC субстрат үйлдвэрлэлийн шугамыг Тяньжиний өндөр технологийн бүсэд барьж, жилдээ 30,000 ширхэг үйлдвэрлэх хүчин чадалтай үйлдвэрлэлийн шугамыг албан ёсоор ашиглалтад оруулсан.