Qinghe Wafer atinge preparação de substrato de ligação SiC de 8 polegadas

A Qinghe Wafer Co., Ltd. da China anunciou em abril que havia feito um avanço bem-sucedido na preparação de substratos de ligação de SiC de 8 polegadas. Além disso, a Qinghe Jingyuan também investiu 990 milhões de yuans para construir a primeira linha de produção de substrato de SiC composto do país na Tianjin Hi-tech Zone. A linha de produção foi oficialmente colocada em operação em maio do ano passado com uma capacidade de produção planejada de 30.000 peças por ano.