Qinghe Wafer bereikt 8-inch SiC-binding substraatvoorbereiding

Het Chinese Qinghe Wafer Co., Ltd. maakte in april bekend dat het een doorbraak had bereikt in de voorbereiding van 8-inch SiC-bindingsubstraten. Daarnaast investeerde Qinghe Jingyuan ook 990 miljoen yuan om de eerste composiet SiC-substraatproductielijn van het land te bouwen in de Tianjin Hi-tech Zone. De productielijn werd officieel in gebruik genomen in mei vorig jaar met een geplande productiecapaciteit van 30.000 stuks per jaar.