Qinghe Wafer erreecht 8-Zoll SiC Bindungssubstrat Virbereedung

China's Qinghe Wafer Co., Ltd. huet am Abrëll ugekënnegt datt et erfollegräich en Duerchbroch an der Virbereedung vun 8-Zoll SiC Bindungssubstrater gemaach huet. Zousätzlech huet Qinghe Jingyuan och 990 Milliounen Yuan investéiert fir déi éischt Komposit SiC Substratproduktiounslinn an der Tianjin Hi-Tech Zone ze bauen.