Qinghe Wafer постига подготовка на 8-инчов SiC свързващ субстрат

Китайската Qinghe Wafer Co., Ltd. обяви през април, че е направила успешен пробив в подготовката на 8-инчови SiC свързващи субстрати. Освен това Qinghe Jingyuan инвестира 990 милиона юана в изграждането на първата в страната линия за производство на композитни SiC субстрати в Tianjin Hi-tech Zone. Производствената линия беше официално пусната в експлоатация през май миналата година с планиран производствен капацитет от 30 000 броя годишно.