Qinghe Wafer သည် 8 လက်မ SiC bonding substrate ပြင်ဆင်မှုကို ရရှိသည်။

တရုတ်၏ Qinghe Wafer Co., Ltd. သည် 8 လက်မအရွယ် SiC ချည်နှောင်ထားသော အလွှာများကို ပြင်ဆင်မှုတွင် အောင်မြင်စွာ အောင်မြင်စွာ အောင်မြင်ခဲ့ကြောင်း ဧပြီလတွင် ကြေညာခဲ့သည်။ ထို့အပြင် Qinghe Jingyuan သည် Tianjin Hi-tech Zone တွင် နိုင်ငံ၏ ပထမဆုံး Composite SiC substrate ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို တည်ဆောက်ရန်အတွက် ယွမ်ငွေ သန်း 990 ရင်းနှီးမြှပ်နှံခဲ့ပြီး အဆိုပါ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းအား တစ်နှစ်လျှင် 30,000 ကျပ်ဖြင့် တရားဝင် စတင်လည်ပတ်ခဲ့သည်။