Qinghe Wafer ประสบความสำเร็จในการเตรียมพื้นผิวด้วยพันธะ SiC ขนาด 8 นิ้ว

ในเดือนเมษายน บริษัท Qinghe Wafer Co., Ltd. ของจีนประกาศว่าบริษัทประสบความสำเร็จในการพัฒนาวัสดุรองรับพันธะ SiC ขนาด 8 นิ้ว นอกจากนี้ Qinghe Jingyuan ยังได้ลงทุน 990 ล้านหยวนเพื่อสร้างสายการผลิตพื้นผิว SiC แบบผสมแห่งแรกของประเทศในเขตไฮเทคเทียนจิน โดยสายการผลิตดังกล่าวเริ่มดำเนินการอย่างเป็นทางการเมื่อเดือนพฤษภาคมปีที่แล้ว โดยมีกำลังการผลิตตามแผน 30,000 ชิ้นต่อปี