CREE запускає високопотужні модулі SiC-MOSFET

CREE випустила високопотужні модулі SiC-MOSFET на 1200 В/800 А та 1700 В/300 А. У міру зростання попиту на ринку та покращення рівня технологічних процесів очікується, що ціна на потужні модулі SiC поступово знижуватиметься.