CREE melancarkan modul SiC-MOSFET berkuasa tinggi

CREE telah melancarkan modul SiC-MOSFET berkuasa tinggi 1200V/800A dan 1700V/300A. Apabila permintaan pasaran berkembang dan tahap proses bertambah baik, harga modul SiC berkuasa tinggi dijangka menurun secara beransur-ansur.