Inilunsad ng CREE ang mga high-power na SiC-MOSFET na module

Inilunsad ng CREE ang mga high-power na SiC-MOSFET module na 1200V/800A at 1700V/300A. Habang lumalawak ang demand sa merkado at bumubuti ang mga antas ng proseso, inaasahang unti-unting bababa ang presyo ng mga high-power na SiC modules.