CREE omoñepyrũ umi módulo SiC-MOSFET ipuꞌakapáva

CREE omoherakuã umi módulo SiC-MOSFET ipoderoso yvate 1200V/800A ha 1700V/300A. Oñembotuichave ohóvo demanda mercado-pe ha oñemyatyrõvo nivel proceso, oñeha'ãrõ oguejy mbeguekatúpe umi módulo SiC de alta potencia repykue.