Samsung Electronics добивается прогресса в разработке микросхем памяти с искусственным интеллектом

Компания Samsung Electronics начинает добиваться успехов в сокращении разрыва с конкурентом SK Hynix после серии неудач в разработке микросхем памяти, имеющих решающее значение для рынка искусственного интеллекта (ИИ). Компания Samsung получила долгожданное одобрение от Nvidia на свой чип памяти с высокой пропускной способностью (HBM) HBM3 и ожидает, что следующее поколение HBM3E будет одобрено в течение 2–4 месяцев. На своей конференции по доходам за второй квартал 31 июля компания Samsung заявила, что ее 8-слойный продукт HBM3E пятого поколения в настоящее время проходит оценку клиентов и его массовое производство запланировано на третий квартал этого года.