Hebei Tongguang Semiconductor lanserar ett projekt för att producera 200 000 8-tums enkristallsubstrat av kiselkarbid per år

Den 11 februari höll Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. en ceremoni för att avslöja National Enterprise Technology Center och lansera ett projekt för att producera 200 000 8-tums enkristallsubstrat av kiselkarbid årligen i Baoding National High-tech Industrial Development Zone. Projektet förväntas ha en total investering på 882 miljoner yuan och förväntas vara helt satt i produktion 2027. Zheng Qingchao, ordförande för Tongguang Semiconductor, sa att detta kommer att vara av stor betydelse för att förbättra kärnteknologins oberoende, avancerade industriella kedja och omfattningen av industriella kluster av Baodings tredje generationens halvledare.