Hebei Tongguang Semiconductor lancéiert e Projet fir 200.000 8-Zoll Siliziumkarbid Eenkristallsubstrate pro Joer ze produzéieren

Den 11. Februar huet Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. eng Zeremonie ofgehalen fir den National Enterprise Technology Center z'entdecken an e Projet ze lancéieren fir 200.000 8-Zoll Siliziumkarbid Eenkristallsubstrater jäerlech an der Baoding National High-Tech Industrial Development Zone ze produzéieren. De Projet gëtt erwaart eng Gesamtinvestitioun vun 882 Millioune Yuan ze hunn an ass erwaart voll an d'Produktioun am Joer 2027 gesat ze ginn. Zheng Qingchao, President vun Tongguang Semiconductor, sot datt dëst vu grousser Bedeitung wäert sinn fir d'Kärtechnologie Onofhängegkeet, High-End Industriekette an d'Skala vun industrielle Cluster vun Baoding Drëtt-Generatioun Hallefleit ze verbesseren.