Hebei Tongguang Semiconductor lansează un proiect pentru producerea a 200.000 de substraturi monocristastre de carbură de siliciu de 8 inci pe an

Pe 11 februarie, Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. a organizat o ceremonie de dezvăluire a Centrului Național de Tehnologie a Întreprinderilor și de lansare a unui proiect de producere a 200.000 de substraturi monocristal de carbură de siliciu de 8 inchi anual în Zona Națională de Dezvoltare Industrială de înaltă tehnologie Baoding. Proiectul este de așteptat să aibă o investiție totală de 882 de milioane de yuani și este de așteptat să fie pus pe deplin în producție în 2027. Zheng Qingchao, președintele Tongguang Semiconductor, a spus că acest lucru va fi de mare importanță pentru îmbunătățirea independenței tehnologiei de bază, a lanțului industrial de vârf și a dimensiunii clusterelor industriale ale semiconductoarelor din a treia generație a lui Baoding.