Hebei Tongguang Semiconductor spúšťa projekt výroby 200 000 8-palcových monokryštálových substrátov z karbidu kremíka ročne

11. februára usporiadala spoločnosť Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. ceremóniu na odhalenie Národného podnikového technologického centra a spustenie projektu na výrobu 200 000 8-palcových monokryštálových substrátov z karbidu kremíka ročne v Baoding National High-tech Industrial Development Zone. Očakáva sa, že projekt bude mať celkovú investíciu 882 miliónov juanov a očakáva sa, že bude plne uvedený do výroby v roku 2027. Zheng Qingchao, predseda spoločnosti Tongguang Semiconductor, uviedol, že to bude mať veľký význam pre zlepšenie nezávislosti základnej technológie, špičkového priemyselného reťazca a rozsahu priemyselných klastrov tretej generácie polovodičov Baoding.