A Hebei Tongguang Semiconductor projektet indít évente 200 000 8 hüvelykes szilícium-karbid egykristály szubsztrátum előállítására

Február 11-én a Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. ünnepséget tartott a Nemzeti Vállalkozási Technológiai Központ bemutatására és egy projekt elindítására, amelynek célja évente 200 000 8 hüvelykes szilícium-karbid egykristály szubsztrátum előállítására a Baoding Nemzeti Csúcstechnológiai Ipari Fejlesztési Zóna területén. A projekt teljes beruházása várhatóan 882 millió jüan lesz, és várhatóan 2027-ben kezdik meg a termelést. Zheng Qingchao, a Tongguang Semiconductor elnöke elmondta, hogy ennek nagy jelentősége lesz a Baoding harmadik generációs félvezetőinek alapvető technológiai függetlenségének, a csúcskategóriás ipari láncnak és az ipari klaszterek méretének javítása szempontjából.