Hebei Tongguang Semiconductor nis një projekt për të prodhuar 200,000 nënshtresa me një kristal karabit silikoni 8 inç në vit

Më 11 shkurt, Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. mbajti një ceremoni për të zbuluar Qendrën Kombëtare të Teknologjisë së Ndërmarrjeve dhe për të nisur një projekt për të prodhuar 200,000 nënshtresa me një kristal karabit silikoni 8 inç çdo vit në Zonën Kombëtare të Zhvillimit Industrial të teknologjisë së lartë Baoding. Projekti pritet të ketë një investim total prej 882 milionë juanë dhe pritet të vihet plotësisht në prodhim në vitin 2027. Zheng Qingchao, kryetar i Tongguang Semiconductor, tha se kjo do të ketë një rëndësi të madhe për përmirësimin e pavarësisë së teknologjisë bazë, zinxhirit industrial të nivelit të lartë dhe shkallës së grupimeve industriale të gjysmëpërçuesve të gjeneratës së tretë të Baoding.