Hebei Tongguang Semiconductor משיקה פרויקט לייצור 200,000 מצעי סיליקון קרביד בודד בגודל 8 אינץ' בשנה

ב-11 בפברואר, Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd ערכה טקס לחשיפת המרכז הטכנולוגי הלאומי לארגונים והשקת פרויקט לייצור 200,000 מצעי סיליקון קרביד בודדים בגודל 8 אינץ' מדי שנה באזור הפיתוח הלאומי ההיי-טק התעשייתי של באודינג. הפרויקט צפוי להיות בהשקעה כוללת של 882 מיליון יואן וצפוי לצאת לייצור מלא ב-2027. ג'נג צ'ינגצ'או, יו"ר Tongguang Semiconductor, אמר שלדבר הזה תהיה משמעות רבה לשיפור עצמאות הליבה הטכנולוגית, השרשרת התעשייתית המתקדמת וקנה המידה של אשכולות תעשייתיים של מוליכים למחצה מהדור השלישי של Baoding.