Hebei Tongguang Semiconductor იწყებს პროექტს წელიწადში 200,000 8 დიუმიანი სილიკონის კარბიდის ერთკრისტალური სუბსტრატის წარმოებისთვის.

11 თებერვალს, Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.-მ გამართა ცერემონია ეროვნული საწარმოს ტექნოლოგიური ცენტრის გახსნისა და პროექტის დაწყების მიზნით, რომელიც აწარმოებს ყოველწლიურად 200,000 8 დიუმიანი სილიკონის კარბიდის ერთკრისტალური სუბსტრატს ბაოდინგის ეროვნულ მაღალტექნოლოგიურ ინდუსტრიულ განვითარების ზონაში. პროექტის მთლიანი ინვესტიცია იქნება 882 მილიონი იუანი და, სავარაუდოდ, 2027 წელს სრულად შევა წარმოებაში. ჟენგ ქინჩაო, Tongguang Semiconductor-ის თავმჯდომარემ, თქვა, რომ ამას დიდი მნიშვნელობა ექნება ბაოდინგის მესამე თაობის ნახევარგამტარების ძირითადი ტექნოლოგიური დამოუკიდებლობის, მაღალი დონის ინდუსტრიული ჯაჭვისა და სამრეწველო კლასტერების მასშტაბის გასაუმჯობესებლად.