Hebei Tongguang Semiconductor omoñepyrû peteî proyecto oproduci haguã 200.000 sustrato carburo de silicio 8 pulgadas peteî cristalina peteî arýpe

Ára 11 de febrero, Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. omotenonde peteî acto oikuaaukávo Centro Nacional de Tecnología Empresarial ha omoñepyrûvo proyecto oproduci haguã 200.000 sustrato de único cristal carburo de silicio 8 pulgadas anualmente Zona Nacional de Desarrollo Industrial de Alta tecnología Baoding-pe. Ko proyecto oñeha'ãrõ oreko inversión total 882 millones de yuanes ha oñeha'ãrõ oñemoî plenamente producción ary 2027-pe. Zheng Qingchao, presidente Tongguang Semiconductor, he'i péva tuicha mba'éta omohenda porãvo independencia tecnología núcleo, cadena industrial de gama alta ha escala clúster industrial umi semiconductor tercera generación Baoding-gua.