ON Semiconductor оны эцэс гэхэд 200 мм-ийн цахиурын карбидын хавтангийн гэрчилгээг дуусгахаар төлөвлөж байна.

ON Semiconductor компани оны эцэс гэхэд 200 мм-ийн SiC хавтан үйлдвэрлэх ажлыг дуусгахаар төлөвлөж байгаа бөгөөд ирэх онд үйлдвэрлэлээ эхлүүлэхээр төлөвлөж байна. Энэ нь хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлд цахиурын карбидын материалыг ашиглахыг дэмжиж, ON Semiconductor-ийн өрсөлдөх чадварыг нэмэгдүүлэхэд тусална.